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MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(1)
(In Freescale Doherty Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=30Vdc, IDQA
= 800 mA, VGSB
= 1.3 V, 1805--1880 MHz
Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
224
?
W
Pout
@ 3 dB Compression Point, CW
P3dB
?
280
?
W
IMD Symmetry @ 17 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
72
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
88
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
=72WAvg.
GF
?
0.4
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.01
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
(2)
?P1dB
?
0.005
?
dB/°C
1. Measurement made with device in a symmetrical Doherty configuration.
2. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
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